BSM600C12P3G201

제품 속성

속성 값

제조사:

로옴 반도체

제품 카테고리:

이산 반도체 모듈

RoHS:

Y

제품:

전력 반도체 모듈

유형:

SiC 파워 모듈

Vf - 순방향 전압:

1.8 V at 600 A

Vgs - 게이트 소스 전압:

- 4 V, 22 V

장착 스타일:

나사산

패키지/케이스:

기준 치수

최소 작동 온도:

- 40 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

시리즈:

BSMx

포장:

쟁반

구성:

초퍼

기술:

SiC

상표:

로옴 반도체

트랜지스터 극성:

N-채널

일반적인 지연 시간:

70 ns

가을 시간:

65 ns

Id - 연속 드레인 전류:

576 A

Pd - 전력 손실:

2460 W

상품 유형:

이산 반도체 모듈

상승 시간:

50 ns

공장 팩 수량:

4

하위 카테고리:

이산 반도체 모듈

일반적인 끄기 지연 시간:

240 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

70 ns

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

1200 V

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

2.7 V

Tags

BSM600, BSM60, BSM6, BSM