IS43LR32800H-6BLI

IS43LR32800H-6BLI
Mfr. #:
IS43LR32800H-6BLI
제조사:
ISSI
설명:
DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
수명 주기:
이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:
IS43LR32800H-6BLI 데이터 시트
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DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
제품 속성
속성 값
제조사:
ISSI
제품 카테고리:
적은 양
RoHS:
Y
유형:
SDRAM 모바일 - DDR
데이터 버스 폭:
32 bit
조직:
8 M x 32
패키지/케이스:
BGA-90
메모리 크기:
256 Mbit
최대 클록 주파수:
166 MHz
액세스 시간:
6 ns
공급 전압 - 최대:
1.95 V
공급 전압 - 최소:
1.7 V
공급 전류 - 최대:
55 mA
최소 작동 온도:
- 40 C
최대 작동 온도:
+ 85 C
시리즈:
IS43LR16160H
상표:
ISSI
장착 스타일:
SMD/SMT
상품 유형:
적은 양
공장 팩 수량:
240
하위 카테고리:
메모리 및 데이터 저장
Tags
IS43LR32800H, IS43LR328, IS43LR3, IS43LR, IS43L, IS43, IS4
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
영상 부분 # 설명
IS43LR32640A-6BL-TR

Mfr.#: IS43LR32640A-6BL-TR

OMO.#: OMO-IS43LR32640A-6BL-TR

DRAM 2G 1.8V DDR 64Mx32 166Mhz 90 ball BGA
IS43LR32400G-6BL-TR

Mfr.#: IS43LR32400G-6BL-TR

OMO.#: OMO-IS43LR32400G-6BL-TR

DRAM 128M, 1.8V, M-DDR 8Mx32, 166Mhz, RoHS
IS43LR32320B-6BL-TR

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OMO.#: OMO-IS43LR32320B-6BL-TR

DRAM 1G, 1.8V, 166Mhz 32Mx32, Mobile DDR
IS43LR32800F-6BLI

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DRAM 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR SDRAM
IS43LR32400G-6BL

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DRAM 128M, 1.8V, M-DDR 4Mx32, 166Mhz, RoHS
IS43LR32160C-6BLI

Mfr.#: IS43LR32160C-6BLI

OMO.#: OMO-IS43LR32160C-6BLI-INTEGRATED-SILICON-SOLUTION

DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR
IS43LR32800G-6BLI

Mfr.#: IS43LR32800G-6BLI

OMO.#: OMO-IS43LR32800G-6BLI-INTEGRATED-SILICON-SOLUTION

DRAM 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR SDRAM
IS43LR32200B-6BLI

Mfr.#: IS43LR32200B-6BLI

OMO.#: OMO-IS43LR32200B-6BLI-INTEGRATED-SILICON-SOLUTION

DRAM 64M (2Mx32) 166MHz 1.8v Mobile DDR
IS43LR32320B-5BLI

Mfr.#: IS43LR32320B-5BLI

OMO.#: OMO-IS43LR32320B-5BLI-INTEGRATED-SILICON-SOLUTION

IC DRAM 1G PARALLEL 90LFBGA
IS43LR32800F-6BLI-

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신규 및 오리지널
유효성
재고:
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주문 시:
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