2SD1963T100S

제품 속성

속성 값

제조사:

로옴 반도체

제품 카테고리:

양극성 트랜지스터 - BJT

RoHS:

Y

장착 스타일:

SMD/SMT

트랜지스터 극성:

NPN

구성:

하나의

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

20 V

컬렉터-베이스 전압 VCBO:

50 V

이미터-베이스 전압 VEBO:

6 V

최대 DC 수집기 전류:

3 A

이득 대역폭 곱 fT:

150 MHz

최대 작동 온도:

+ 150 C

DC 전류 이득 hFE 최대:

270 at 500 mA, 2 V

키:

1.5 mm

길이:

4.5 mm

포장:

릴

너비:

2.5 mm

상표:

로옴 반도체

지속적인 수집가 전류:

3 A

DC 수집기/기본 이득 hfe 최소:

270

Pd - 전력 손실:

2000 mW

상품 유형:

BJT - 양극성 트랜지스터

공장 팩 수량:

1

하위 카테고리:

트랜지스터

단위 무게:

0.004603 oz

Tags

2SD1963T, 2SD196, 2SD19, 2SD1, 2SD