MRF101BN

제품 속성

속성 값

제조사:

NXP

제품 카테고리:

RF MOSFET 트랜지스터

트랜지스터 극성:

N-채널

기술:

시

Id - 연속 드레인 전류:

8.8 A

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

133 V

얻다:

21.1 dB

출력 파워:

100 W

최소 작동 온도:

- 40 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-220-3

포장:

튜브

동작 주파수:

1.8 MHz to 250 MHz

시리즈:

MRF101

유형:

RF 전력 MOSFET

상표:

NXP반도체

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

7.1 S

채널 수:

1 Channel

Pd - 전력 손실:

182 W

상품 유형:

RF MOSFET 트랜지스터

공장 팩 수량:

250

하위 카테고리:

MOSFET

Vgs - 게이트 소스 전압:

- 6 V, + 10 V

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

1.7 V

부품 번호 별칭:

935377234129

Tags

MRF101, MRF10, MRF1, MRF