SI7962DP-T1-E3

SI7962DP-T1-E3
Mfr. #:
SI7962DP-T1-E3
제조사:
Vishay
설명:
RF Bipolar Transistors MOSFET DUAL N-CH 40V (D-S) HIGH THRESHOLD
수명 주기:
이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:
SI7962DP-T1-E3 데이터 시트
배달:
DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
제품 속성
속성 값
제조사
비쉐이 실리콘
제품 카테고리
FET - 어레이
시리즈
트렌치FETR
포장
Digi-ReelR 대체 패키징
부분 별칭
SI7962DP-E3
단위 무게
0.017870 oz
장착 스타일
SMD/SMT
패키지 케이스
PowerPAKR SO-8 Dual
기술
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착형
표면 실장
채널 수
2 Channel
공급자-장치-패키지
PowerPAKR SO-8 Dual
구성
듀얼
FET형
2 N-Channel (Dual)
파워맥스
1.4W
트랜지스터형
2 N-Channel
드레인-소스 전압 Vdss
40V
입력-커패시턴스-Ciss-Vds
-
FET 기능
기준
Current-Continuous-Drain-Id-25°C
7.1A
Rds-On-Max-Id-Vgs
17 mOhm @ 11.1A, 10V
Vgs-th-Max-Id
4.5V @ 250μA
Gate-Charge-Qg-Vgs
70nC @ 10V
Pd 전력 손실
1.4 W
최대 작동 온도
+ 150 C
최소 작동 온도
- 55 C
가을철
15 ns
상승 시간
15 ns
Vgs 게이트 소스 전압
20 V
Id-연속-드레인-전류
7.1 A
Vds-드레인-소스-고장-전압
40 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
17 mOhms
트랜지스터 극성
N-채널
일반 꺼짐 지연 시간
55 ns
일반 켜기 지연 시간
22 ns
채널 모드
상승
Tags
SI7962, SI796, SI79, SI7
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8
***ark
Transistor; Continuous Drain Current, Id:11100mA; Drain Source Voltage, Vds:40V; On Resistance, Rds(on):0.017ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:4.5V; Power Dissipation, Pd:1.4W ;RoHS Compliant: Yes
부분 # 제조 설명 재고 가격
SI7962DP-T1-E3
DISTI # SI7962DP-T1-E3TR-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Temporarily Out of Stock
  • 3000:$1.8873
SI7962DP-T1-E3
DISTI # 781-SI7962DP-T1-E3
Vishay IntertechnologiesMOSFET DUAL N-CH 40V (D-S) HIGH THRESHOLD
RoHS: Compliant
0
  • 3000:$1.7200
영상 부분 # 설명
SI7962DP-T1-E3

Mfr.#: SI7962DP-T1-E3

OMO.#: OMO-SI7962DP-T1-E3

MOSFET DUAL N-CH 40V (D-S) HIGH THRESHOLD
SI7962DP-T1-GE3

Mfr.#: SI7962DP-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI7962DP-T1-GE3

MOSFET 40V 11.1A 3.5W 17mohm @ 10V
SI7962DP-T1-GE3

Mfr.#: SI7962DP-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI7962DP-T1-GE3-317

RF Bipolar Transistors MOSFET 40V 11.1A 3.5W 17mohm @ 10V
SI7962DP-T1-E3

Mfr.#: SI7962DP-T1-E3

OMO.#: OMO-SI7962DP-T1-E3-VISHAY

RF Bipolar Transistors MOSFET DUAL N-CH 40V (D-S) HIGH THRESHOLD
유효성
재고:
Available
주문 시:
3000
수량 입력:
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참고 가격(USD)
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단가
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1
US$2.58
US$2.58
10
US$2.45
US$24.51
100
US$2.32
US$232.20
500
US$2.19
US$1 096.50
1000
US$2.06
US$2 064.00
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