KSD2012YYDTU

제품 속성

속성 값

제조사:

온세미컨덕터

제품 카테고리:

양극성 트랜지스터 - BJT

RoHS:

E

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-220F-3

트랜지스터 극성:

NPN

구성:

하나의

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

60 V

컬렉터-베이스 전압 VCBO:

60 V

이미터-베이스 전압 VEBO:

7 V

수집기-이미터 포화 전압:

0.4 V

최대 DC 수집기 전류:

3 A

이득 대역폭 곱 fT:

3 MHz

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

DC 전류 이득 hFE 최대:

320

키:

9.19 mm

길이:

10.16 mm

포장:

튜브

너비:

4.7 mm

상표:

온세미컨덕터 / 페어차일드

지속적인 수집가 전류:

3 A

Pd - 전력 손실:

25 W

상품 유형:

BJT - 양극성 트랜지스터

공장 팩 수량:

50

하위 카테고리:

트랜지스터

단위 무게:

0.080072 oz

Tags

KSD2012Y, KSD201, KSD20, KSD2, KSD