BUZ30A L3045A

Mfr. #:: BUZ30A L3045A
제조사:: Infineon Technologies
설명:: IGBT Transistors MOSFET N-Ch 200V 21A D2PAK-2
수명 주기:: 이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:: BUZ30A L3045A 데이터 시트
배달:: DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:

제품 속성
속성 값

제조사: 인피니언 테크놀로지스

제품 카테고리: 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일

포장: 릴

부분 별칭: BUZ30AL3045AXT

단위 무게: 0.139332 oz

장착 스타일: SMD/SMT

패키지 케이스: TO-252-3

기술: 시

채널 수: 1 Channel

구성: 하나의

트랜지스터형: 1 N-Channel

Pd 전력 손실: 125 W

최대 작동 온도: + 150 C

최소 작동 온도: - 55 C

가을철: 90 ns

상승 시간: 70 ns

Vgs 게이트 소스 전압: 20 V

Id-연속-드레인-전류: 21 A

Vds-드레인-소스-고장-전압: 200 V

Rds-On-Drain-Source-Resistance: 130 mOhms

트랜지스터 극성: N-채널

일반 꺼짐 지연 시간: 250 ns

일반 켜기 지연 시간: 30 ns

채널 모드: 상승

Tags: BUZ30A, BUZ30, BUZ3, BUZ

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Market price

부분 #	제조	설명	재고	가격
BUZ30AH3045AATMA1 DISTI # BUZ30AH3045AATMA1TR-ND	Infineon Technologies AG	MOSFET N-CH 200V 21A TO-263 RoHS: Compliant Min Qty: 1000 Container: Tape & Reel (TR)	Limited Supply - Call	1000:$1.1270
BUZ30AH3045AATMA1 DISTI # BUZ30AH3045AATMA1CT-ND	Infineon Technologies AG	MOSFET N-CH 200V 21A TO-263 RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Cut Tape (CT)	Limited Supply - Call
BUZ30AH3045AATMA1 DISTI # BUZ30AH3045AATMA1DKR-ND	Infineon Technologies AG	MOSFET N-CH 200V 21A TO-263 RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Digi-Reel®	Limited Supply - Call
BUZ30A L3045A DISTI # 726-BUZ30AL3045A	Infineon Technologies AG	MOSFET N-Ch 200V 21A D2PAK-2 RoHS: Compliant	0

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영상	부분 #	설명
	Mfr.#: BUZ30AH3045AATMA1 OMO.#: OMO-BUZ30AH3045AATMA1	MOSFET N-Ch 200V 21A D2PAK-2
	Mfr.#: BUZ30AHXKSA1 OMO.#: OMO-BUZ30AHXKSA1	MOSFET N-Ch 200V 21A TO220FP-3
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	Mfr.#: BUZ30AH OMO.#: OMO-BUZ30AH-1190	Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB
	Mfr.#: BUZ30AH3045A OMO.#: OMO-BUZ30AH3045A-1190	Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
	Mfr.#: BUZ30A H OMO.#: OMO-BUZ30A-H-124	Darlington Transistors MOSFET N-Ch 200V 21A TO220FP-3