BUP213

BUP213
Mfr. #:
BUP213
제조사:
Infineon Technologies
설명:
IGBT Transistors IGBT CHIP NPT TECH 1200V 15A
수명 주기:
이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:
BUP213 데이터 시트
배달:
DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
BUP213 DatasheetBUP213 Datasheet (P4-P6)BUP213 Datasheet (P7-P8)
ECAD Model:
제품 속성
속성 값
제조사:
인피니언
제품 카테고리:
IGBT 트랜지스터
RoHS:
Y
기술:
패키지/케이스:
TO-220-3
장착 스타일:
구멍을 통해
구성:
하나의
컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:
1200 V
최대 게이트 이미터 전압:
20 V
최소 작동 온도:
- 55 C
최대 작동 온도:
+ 150 C
포장:
튜브
연속 수집가 현재 IC 최대:
32 A
키:
9.25 mm
길이:
10 mm
너비:
4.4 mm
상표:
인피니언 테크놀로지스
상품 유형:
IGBT 트랜지스터
공장 팩 수량:
500
하위 카테고리:
IGBT
단위 무게:
0.211644 oz
Tags
BUP21, BUP2, BUP
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***S.I.T. Europe - USA - Asia
Insulated Gate Bipolar Transistor, 32A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
***ark
; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Collector Current, Ic:32A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):2.7V; Power Dissipation, Pd:200W; Package/Case:TO-220AB ;RoHS Compliant: Yes
***nell
IGBT, TO-220; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Voltage, Vces:1200V; Current Ic Continuous a Max:32A; Voltage, Vce Sat Max:2.7V; Power Dissipation:200W; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V; Current, Icm Pulsed:64A; Device Marking:BUP213; No. of Pins:3; Pin Format:GCE; Power, Pd:200W; Power, Ptot:200W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Time, Fall:95ns; Time, Rise:70ns; Transistors, No. of:1
부분 # 제조 설명 재고 가격
BUP213
DISTI # BUP213IN-ND
Infineon Technologies AGIGBT 1200V 32A 200W TO220
RoHS: Not compliant
Min Qty: 500
Container: Tube
Limited Supply - Call
    BUP213
    DISTI # 726-BUP213
    Infineon Technologies AGIGBT Transistors IGBT CHIP NPT TECH 1200V 15A
    RoHS: Compliant
    0
      BUP213 E3045A
      DISTI # 726-BUP213E3045A
      Infineon Technologies AGIGBT Transistors IGBT CHIP NPT TECH 1200V 15A
      RoHS: Compliant
      0
        BUP213Infineon Technologies AGInsulated Gate Bipolar Transistor, 32A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
        RoHS: Not Compliant
        1634
          영상 부분 # 설명
          BUP202

          Mfr.#: BUP202

          OMO.#: OMO-BUP202-1190

          신규 및 오리지널
          BUP203

          Mfr.#: BUP203

          OMO.#: OMO-BUP203-1190

          신규 및 오리지널
          BUP23B

          Mfr.#: BUP23B

          OMO.#: OMO-BUP23B-1190

          TRANSISTOR,BJT,NPN,400V V(BR)CEO,15A I(C),SOT-93
          BUP311D

          Mfr.#: BUP311D

          OMO.#: OMO-BUP311D-1190

          IGBT Transistors 1200V, 20A
          BUP314

          Mfr.#: BUP314

          OMO.#: OMO-BUP314-1190

          IGBT Transistors TRANS IGBT CHIP N-CH 1200V, 52A
          BUP40

          Mfr.#: BUP40

          OMO.#: OMO-BUP40-1190

          신규 및 오리지널
          BUP410D

          Mfr.#: BUP410D

          OMO.#: OMO-BUP410D-1190

          Part Number Only
          BUP50

          Mfr.#: BUP50

          OMO.#: OMO-BUP50-1190

          신규 및 오리지널
          BUP61

          Mfr.#: BUP61

          OMO.#: OMO-BUP61-1190

          신규 및 오리지널
          BUP941

          Mfr.#: BUP941

          OMO.#: OMO-BUP941-1190

          신규 및 오리지널
          유효성
          재고:
          Available
          주문 시:
          5000
          수량 입력:
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