IXTH6N150

제품 속성

속성 값

제조사:

익시스

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-247-3

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

500 V

Id - 연속 드레인 전류:

6 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

3.5 Ohms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

5 V

Qg - 게이트 차지:

67 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

540 W

채널 모드:

상승

포장:

튜브

제품:

파워 MOSFET

시리즈:

IXTH6N150

유형:

고전압 전력 MOSFET

상표:

익시스

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

6.5 mS

가을 시간:

38 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

20 ns

공장 팩 수량:

30

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

50 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

22 ns

단위 무게:

0.229281 oz

Tags

IXTH6N1, IXTH6N, IXTH6, IXTH, IXT