DMN2011UTS-13

제품 속성

속성 값

제조사:

다이오드 주식회사

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

패키지/케이스:

TSSOP-8

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

20 V

Id - 연속 드레인 전류:

21 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

7.2 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

400 mV

Vgs - 게이트 소스 전압:

4.5 V

Qg - 게이트 차지:

24 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

1.3 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

릴

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

상표:

다이오드 주식회사

가을 시간:

13.5 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

2.6 ns

공장 팩 수량:

2500

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

21.6 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

3.6 ns

Tags

DMN2011, DMN201, DMN20, DMN2, DMN