PSMN013-100PS,127

제품 속성

속성 값

제조사:

넥스페리아

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-220-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

100 V

Id - 연속 드레인 전류:

68 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

25 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

4.6 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

59 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 175 C

Pd - 전력 손실:

170 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

튜브

키:

9.4 mm

길이:

10.3 mm

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

유형:

N-Channel 100 V 13.9 mOhms Standard Level MOSFET in TO220

너비:

4.7 mm

상표:

넥스페리아

가을 시간:

24 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

25 ns

공장 팩 수량:

50

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

52.5 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

20.7 ns

단위 무게:

0.211644 oz

Tags

PSMN013-100P, PSMN013-1, PSMN013, PSMN01, PSMN0, PSMN, PSM