2SD2170T100

제품 속성

속성 값

제조사:

로옴 반도체

제품 카테고리:

달링턴 트랜지스터

RoHS:

Y

구성:

하나의

트랜지스터 극성:

NPN

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

110 V

이미터-베이스 전압 VEBO:

6 V

컬렉터-베이스 전압 VCBO:

110 V

최대 DC 수집기 전류:

2 A

최대 수집기 차단 전류:

10 uA

Pd - 전력 손실:

500 mW

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SOT-89-3

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

포장:

릴

DC 전류 이득 hFE 최대:

1000

키:

1.5 mm

길이:

4.5 mm

너비:

2.5 mm

상표:

로옴 반도체

지속적인 수집가 전류:

2 A

DC 수집기/기본 이득 hfe 최소:

1000

이득 대역폭 곱 fT:

80 MHz

상품 유형:

달링턴 트랜지스터

공장 팩 수량:

1000

하위 카테고리:

트랜지스터

부품 번호 별칭:

2SD2170

단위 무게:

0.004603 oz

Tags

2SD2170T, 2SD2170, 2SD217, 2SD21, 2SD2, 2SD