QS6J1TR

제품 속성

속성 값

제조사:

로옴 반도체

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SOT-457T-6

채널 수:

2 Channel

트랜지스터 극성:

P-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

20 V

Id - 연속 드레인 전류:

1.5 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

310 mOhms

Vgs - 게이트 소스 전압:

12 V

Pd - 전력 손실:

1.25 W

구성:

듀얼

채널 모드:

상승

포장:

릴

키:

0.85 mm

길이:

2.9 mm

제품:

MOSFET 소신호

시리즈:

QS6J1

트랜지스터 유형:

2 P-Channel

유형:

MOSFET

너비:

1.6 mm

상표:

로옴 반도체

가을 시간:

12 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

12 ns

공장 팩 수량:

3000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

45 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

10 ns

부품 번호 별칭:

QS6J1

Tags

QS6J1, QS6J, QS6