TSM2537CQ RFG

제품 속성

속성 값

제조사:

대만 반도체

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

TDFN22-6

채널 수:

2 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널, P-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

20 V

Id - 연속 드레인 전류:

11.6 A, 9 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

17 mOhms, 48 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

500 mV, 450 mV

Vgs - 게이트 소스 전압:

4.5 V

Qg - 게이트 차지:

9.1 nC, 9.8 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

6.25 W, 6.25 W

구성:

듀얼

채널 모드:

상승

포장:

릴

트랜지스터 유형:

N 및 P 채널 전력 MOSFET

상표:

대만 반도체

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

28 S, 15 S

가을 시간:

30 ns, 68 ns

습기에 민감한:

네

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

41 ns, 34 ns

공장 팩 수량:

3000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

25 ns, 69 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

8 ns, 10 ns

Tags

TSM25, TSM2, TSM