TN2106K1-G

제품 속성

속성 값

제조사:

마이크로칩

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SOT-23-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

60 V

Id - 연속 드레인 전류:

280 mA

Rds On - 드레인 소스 저항:

2.5 Ohms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

600 mV

Vgs - 게이트 소스 전압:

10 V

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

360 mW

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

릴

키:

0.95 mm

길이:

2.9 mm

제품:

MOSFET 소신호

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

유형:

FET

너비:

1.3 mm

상표:

마이크로칩 기술

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

150 mS

가을 시간:

5 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

5 ns

공장 팩 수량:

3000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

6 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

3 ns

단위 무게:

0.000282 oz

Tags

TN2106K1, TN2106K, TN2106, TN210, TN21, TN2