RN1970(TE85L,F)

RN1970(TE85L,F)
Mfr. #:
RN1970(TE85L,F)
제조사:
Toshiba
설명:
Bipolar Transistors - Pre-Biased US6 TRANSISTOR Pd 50mW F 1Mhz (LF)
수명 주기:
이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:
RN1970(TE85L,F) 데이터 시트
배달:
DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
RN1970(TE85L,F) DatasheetRN1970(TE85L,F) Datasheet (P4-P6)
ECAD Model:
제품 속성
속성 값
제조사:
도시바
제품 카테고리:
양극성 트랜지스터 - 사전 바이어스
구성:
듀얼
트랜지스터 극성:
NPN
일반적인 입력 저항:
4.7 kOhms
장착 스타일:
SMD/SMT
패키지/케이스:
US-6
DC 수집기/기본 이득 hfe 최소:
120
최대 작동 주파수:
250 MHz
컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:
50 V
지속적인 수집가 전류:
100 mA
피크 DC 수집기 전류:
100 mA
Pd - 전력 손실:
200 mW
최소 작동 온도:
- 55 C
최대 작동 온도:
+ 150 C
포장:
이미터-베이스 전압 VEBO:
5 V
상표:
도시바
채널 모드:
상승
최대 DC 수집기 전류:
100 mA
상품 유형:
BJT - 양극성 트랜지스터 - 사전 바이어스
공장 팩 수량:
3000
하위 카테고리:
트랜지스터
Tags
RN1970(T, RN1970, RN197, RN19, RN1
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
*** Services
CoC and 2-years warranty / RFQ for pricing
***i-Key
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
***el Electronic
IC OPAMP CURR SENSE 150KHZ 8UMAX
*** Stop Electro
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
***et
Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin SOT-723 T/R
***nell
TRANS, PNP, -50V, -0.1A, 150DEG C, 0.15W; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -50V; Transition Frequency ft: 300MHz; Power Dissipation Pd: 150mW; DC Collector Current: -100mA; DC Current Gain hFE: 120hFE; Transistor Case Style: SOT-723; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
*** Electronics
2SAR523EBTL Rohm Bipolar(BJT) Transistor PNP 50 V100 mA 300MHz 150 mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL) T/R RoHS
***et
Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin SOT-416FL T/R
***ment14 APAC
Transistor, PNP, -50V, -0.1A, 150DEG C, 0.15W; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-50V; Transition Frequency ft:-; Power
***nell
TRANS, PNP, -50V, -0.1A, 150DEG C, 0.15W; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -50V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 150mW; DC Collector Current: 100mA; DC Current Gain hFE: 120hFE; Transistor Case Style: SOT-416; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
***ure Electronics
2SAR523UB Series 50 V 100 mA PNP General Purpose Transistor - UMT3F
***ical
Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin UMTF T/R
***nell
TRANS, PNP, -50V, -0.1A, 150DEG C, 0.2W; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -50V; Transition Frequency ft: 300MHz; Power Dissipation Pd: 200mW; DC Collector Current: -100mA; DC Current Gain hFE: 120hFE; Transistor Case Style: SOT-323FL; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
***p One Stop Global
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
***ure Electronics
DDTC Series 50 V 100 mA NPN Pre-Biased Small Signal Transistor - SOT-23-3
***icontronic
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
***ark
Digital Transistor Polarity:single Npn; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100Ma; Base Input Resistor R1:4.7Kohm; Base-Emitter Resistor R2:4.7Kohm; Resistor Ratio, R1 / R2:1(Ratio); Msl:- Rohs Compliant: Yes
영상 부분 # 설명
RN1970(TE85L,F)

Mfr.#: RN1970(TE85L,F)

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Bipolar Transistors - Pre-Biased US6 TRANSISTOR Pd 50mW F 1Mhz (LF)
RN1970(TE85LF)CT-ND

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신규 및 오리지널
RN1970(TE85LF)DKR-ND

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신규 및 오리지널
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500
US$0.10
US$50.00
1000
US$0.08
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