SUP85N10-10-GE3

제품 속성

속성 값

제조사:

비쉐이

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

E

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-220-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

100 V

Id - 연속 드레인 전류:

85 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

8.5 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

1 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

160 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 175 C

Pd - 전력 손실:

250 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

상표명:

TrenchFET

포장:

튜브

키:

15.49 mm

길이:

10.41 mm

시리즈:

저녁을 먹다

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

너비:

4.7 mm

상표:

비쉐이 / 실리콘닉스

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

25 S

가을 시간:

130 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

90 ns

공장 팩 수량:

50

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

55 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

12 ns

단위 무게:

0.211644 oz

Tags

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