2SC5876T106Q

제품 속성

속성 값

제조사:

로옴 반도체

제품 카테고리:

양극성 트랜지스터 - BJT

RoHS:

Y

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SOT-323-3

트랜지스터 극성:

NPN

구성:

하나의

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

60 V

컬렉터-베이스 전압 VCBO:

60 V

이미터-베이스 전압 VEBO:

6 V

수집기-이미터 포화 전압:

150 mV

최대 DC 수집기 전류:

1 A

이득 대역폭 곱 fT:

300 MHz

최대 작동 온도:

+ 150 C

시리즈:

2SC5876

DC 전류 이득 hFE 최대:

390

키:

0.8 mm

길이:

2 mm

포장:

릴

너비:

1.25 mm

상표:

로옴 반도체

지속적인 수집가 전류:

0.5 A

DC 수집기/기본 이득 hfe 최소:

120

Pd - 전력 손실:

200 mW

상품 유형:

BJT - 양극성 트랜지스터

공장 팩 수량:

3000

하위 카테고리:

트랜지스터

단위 무게:

0.000176 oz

Tags

2SC5876T, 2SC587, 2SC58, 2SC5, 2SC