FDMS86200E

제품 속성

속성 값

제조사:

온세미컨덕터

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

PQFN-56

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

150 V

Id - 연속 드레인 전류:

35 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

18 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

2 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

10 V

Qg - 게이트 차지:

33 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

104 W

구성:

단일 트리플 소스 쿼드 드레인

채널 모드:

상승

포장:

릴

트랜지스터 유형:

1 N-Channel PowerTRENCH MOSFET

상표:

온세미컨덕터

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

33 S

가을 시간:

5.8 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

7.9 ns

공장 팩 수량:

3000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

27 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

13 ns

Tags

FDMS86200, FDMS8620, FDMS862, FDMS86, FDMS8, FDMS, FDM