2SD1803S-E

제품 속성

속성 값

제조사:

온세미컨덕터

제품 카테고리:

양극성 트랜지스터 - BJT

RoHS:

Y

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-251-3

트랜지스터 극성:

NPN, PNP

구성:

하나의

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

50 V

컬렉터-베이스 전압 VCBO:

60 V

이미터-베이스 전압 VEBO:

6 V

수집기-이미터 포화 전압:

220 mV, - 280 mV

최대 DC 수집기 전류:

8 A, - 8 A

이득 대역폭 곱 fT:

180 MHz, 130 MHz

최대 작동 온도:

+ 150 C

시리즈:

2SD1803

키:

7 mm

길이:

6.5 mm

포장:

대부분

너비:

2.3 mm

상표:

온세미컨덕터

지속적인 수집가 전류:

5 A

DC 수집기/기본 이득 hfe 최소:

55

Pd - 전력 손실:

1 W

상품 유형:

BJT - 양극성 트랜지스터

공장 팩 수량:

500

하위 카테고리:

트랜지스터

단위 무게:

0.009185 oz

Tags

2SD1803S, 2SD1803, 2SD180, 2SD18, 2SD1, 2SD