IPG20N10S4L35ATMA1

제품 속성

속성 값

제조사:

인피니언

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

TDSON-8

채널 수:

2 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

100 V

Id - 연속 드레인 전류:

20 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

29 mOhms, 29 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

1.1 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

16 V

Qg - 게이트 차지:

17.4 nC, 17.4 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 175 C

Pd - 전력 손실:

43 W

구성:

듀얼

채널 모드:

상승

자격:

AEC-Q101

포장:

릴

키:

1.27 mm

길이:

5.9 mm

시리즈:

IPG20N10

트랜지스터 유형:

2 N-Channel

너비:

5.15 mm

상표:

인피니언 테크놀로지스

가을 시간:

13 ns, 13 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

2 ns, 2 ns

공장 팩 수량:

5000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

18 ns, 18 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

3 ns, 3 ns

부품 번호 별칭:

IPG20N10S4L-35 IPG2N1S4L35XT SP000859022

Tags

IPG20N10S4L, IPG20N1, IPG20, IPG2, IPG