OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
0 카트

SIDR392DP-T1-GE3

SIDR392DP-T1-GE3
Mfr. #:
SIDR392DP-T1-GE3
제조사:
Vishay / Siliconix
설명:
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
수명 주기:
이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:
SIDR392DP-T1-GE3 데이터 시트
배달:
DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SIDR392DP-T1-GE3 DatasheetSIDR392DP-T1-GE3 Datasheet (P4-P6)SIDR392DP-T1-GE3 Datasheet (P7-P8)
ECAD Model:
추가 정보:
SIDR392DP-T1-GE3 추가 정보
제품 속성
속성 값
제조사:
비쉐이
제품 카테고리:
MOSFET
RoHS:
Y
기술:
시
장착 스타일:
SMD/SMT
패키지/케이스:
PowerPAK-SO-8DC-8
채널 수:
1 Channel
트랜지스터 극성:
N-채널
Vds - 드레인 소스 항복 전압:
30 V
Id - 연속 드레인 전류:
100 A
Rds On - 드레인 소스 저항:
620 uOhms
Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:
1 V
Vgs - 게이트 소스 전압:
10 V
Qg - 게이트 차지:
125 nC
최소 작동 온도:
- 55 C
최대 작동 온도:
+ 150 C
Pd - 전력 손실:
125 W
구성:
하나의
채널 모드:
상승
상표명:
TrenchFET
포장:
릴
시리즈:
SID
트랜지스터 유형:
1 N-Channel1 N-Channel
상표:
비쉐이 / 실리콘닉스
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:
125 S
가을 시간:
12 ns
상품 유형:
MOSFET
상승 시간:
23 ns
공장 팩 수량:
3000
하위 카테고리:
MOSFET
일반적인 끄기 지연 시간:
41 ns
일반적인 켜기 지연 시간:
17 ns
Tags
SIDR3, SIDR, SID
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
TrenchFET® Gen IV Top-Side Double Cooling MOSFETs
Vishay TrenchFET® Gen IV Top-Side Double Cooling MOSFETs feature top-side cooling and offer an additional venue for thermal transfer. These MOSFETs come in the PowerPAK® SO-8DC package. The TrenchFET double cooling MOSFETs offer variants with different drain-source breakdown voltages of 25V, 30V, 40V, 60V, 80V, 100V, 150V, and 200V. These N-channel MOSFETs operate at a temperature range from -55°C to 150°C. The TrenchFET MOSFETs can be utilized for product-specific applications including synchronous rectification, DC/DC conversion, power supplies, battery management, and others.
부분 # 제조 설명 재고 가격
SIDR392DP-T1-GE3
DISTI # V72:2272_21764846		Vishay IntertechnologiesSIDR392DP-T1-GE30
    SIDR392DP-T1-GE3
    DISTI # SIDR392DP-T1-GE3TR-ND    		Vishay SiliconixMOSFET N-CHAN 30V
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 3000
    Container: Tape & Reel (TR)    		On Order
    • 6000:$1.2285
    • 3000:$1.2439
    SIDR392DP-T1-GE3
    DISTI # SIDR392DP-T1-GE3CT-ND    		Vishay SiliconixMOSFET N-CHAN 30V
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)    		Temporarily Out of Stock
    • 1000:$1.3761
    • 500:$1.6608
    • 100:$2.0214
    • 10:$2.5150
    • 1:$2.8000
    SIDR392DP-T1-GE3
    DISTI # SIDR392DP-T1-GE3DKR-ND    		Vishay SiliconixMOSFET N-CHAN 30V
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Digi-Reel®    		Temporarily Out of Stock
    • 1000:$1.3761
    • 500:$1.6608
    • 100:$2.0214
    • 10:$2.5150
    • 1:$2.8000
    SIDR392DP-T1-GE3
    DISTI # 59AC7335    		Vishay IntertechnologiesN-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET0
    • 10000:$1.1000
    • 6000:$1.1400
    • 4000:$1.1900
    • 2000:$1.3200
    • 1000:$1.3900
    • 1:$1.4800
    SIDR392DP-T1-GE3
    DISTI # 78AC6500    		Vishay IntertechnologiesMOSFET, N-CH, 30V, 100A, 150DEG C, 125W,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:100A,Drain Source Voltage Vds:30V,On Resistance Rds(on):0.00047ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:2.2V,PowerRoHS Compliant: Yes0
    • 500:$1.5500
    • 250:$1.6600
    • 100:$1.7700
    • 50:$1.9400
    • 25:$2.1100
    • 10:$2.2800
    • 1:$2.7500
    SIDR392DP-T1-GE3
    DISTI # 78-SIDR392DP-T1-GE3    		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
    RoHS: Compliant    		0
    • 1:$2.7200
    • 10:$2.2600
    • 100:$1.7500
    • 500:$1.5300
    • 1000:$1.2700
    • 3000:$1.1800
    SIDR392DP-T1-GE3
    DISTI # 2932895    		Vishay IntertechnologiesMOSFET, N-CH, 30V, 100A, 150DEG C, 125W0
    • 500:£1.1200
    • 250:£1.2000
    • 100:£1.2800
    • 10:£1.6600
    • 1:£2.2400
    SIDR392DP-T1-GE3
    DISTI # 2932895    		Vishay IntertechnologiesMOSFET, N-CH, 30V, 100A, 150DEG C, 125W
    RoHS: Compliant    		0
    • 1000:$2.0100
    • 500:$2.1300
    • 250:$2.2500
    • 100:$2.4500
    • 10:$2.8300
    • 1:$3.2400
    영상 부분 # 설명
    SIDR392DP-T1-GE3

    Mfr.#: SIDR392DP-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SIDR392DP-T1-GE3

    		 MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
    SIDR392DP-T1-GE3

    Mfr.#: SIDR392DP-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SIDR392DP-T1-GE3-VISHAY

    		 MOSFET N-CHAN 30V
    유효성
    재고:
    Available
    주문 시:
    4500
    수량 입력:
    SIDR392DP-T1-GE3의 현재 가격은 참고용이며 최상의 가격을 원하시면 판매팀 [email protected]으로 문의 또는 다이렉트 이메일을 보내주십시오.
    참고 가격(USD)
    수량
    단가
    내선 가격
    1
    US$2.72
    US$2.72
    10
    US$2.26
    US$22.60
    100
    US$1.75
    US$175.00
    500
    US$1.53
    US$765.00
    1000
    US$1.27
    US$1 270.00
    시작
    최신 제품
    More Newest Products
    Top