VN0106N3-G

제품 속성

속성 값

제조사:

마이크로칩

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-92-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

60 V

Id - 연속 드레인 전류:

350 mA

Rds On - 드레인 소스 저항:

3 Ohms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

800 mV

Vgs - 게이트 소스 전압:

10 V

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

1 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

대부분

키:

5.33 mm

길이:

5.21 mm

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

유형:

FET

너비:

4.19 mm

상표:

마이크로칩 기술

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

300 mS

가을 시간:

5 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

5 ns

공장 팩 수량:

1000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

6 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

3 ns

단위 무게:

0.016000 oz

Tags

VN0106N3-G, VN0106N3, VN0106N, VN0106, VN010, VN01, VN0