NTHD3100CT1G

제품 속성

속성 값

제조사:

온세미컨덕터

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

ChipFET-8

채널 수:

2 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널, P-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

20 V

Id - 연속 드레인 전류:

3.9 A, 3.2 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

80 mOhms, 110 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

600 mV, 450 mV

Vgs - 게이트 소스 전압:

4.5 V, - 2.5 V

Qg - 게이트 차지:

2.3 nC, 7.4 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

3.1 W

구성:

듀얼

채널 모드:

상승

포장:

릴

키:

1.05 mm

길이:

3.05 mm

제품:

MOSFET 소신호

시리즈:

NTHD3100C

트랜지스터 유형:

1 N-Channel, 1 P-Channel

유형:

MOSFET

너비:

1.65 mm

상표:

온세미컨덕터

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

6 S, 8 S

가을 시간:

1.5 ns, 12.4 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

10.7 ns, 11.7 ns

공장 팩 수량:

3000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

9.6 ns, 16 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

6.3 ns, 5.8 ns

단위 무게:

0.002998 oz

Tags

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