CSD18563Q5AT

제품 속성

속성 값

제조사:

텍사스 인스트루먼트

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

E

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

VSONP-8

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

60 V

Id - 연속 드레인 전류:

100 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

6.8 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

1.7 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

10 V

Qg - 게이트 차지:

15 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

116 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

상표명:

넥스펫

포장:

릴

키:

1 mm

길이:

5.75 mm

시리즈:

CSD18563Q5A

트랜지스터 유형:

1 N-Channel Power MOSFET

유형:

NexFET 전력 MOSFET

너비:

4.9 mm

상표:

텍사스 인스트루먼트

개발 키트:

TPS40170EVM-597

가을 시간:

1.7 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

6.3 ns

공장 팩 수량:

250

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

11.4 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

3.2 ns

단위 무게:

0.003041 oz

Tags

CSD185, CSD18, CSD1, CSD