MRF9002NR2

제품 속성

속성 값

제조사:

NXP

제품 카테고리:

RF MOSFET 트랜지스터

RoHS:

Y

트랜지스터 극성:

N-채널

기술:

시

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

65 V

얻다:

18 dB

출력 파워:

2 W

최소 작동 온도:

- 65 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

PFP-16

포장:

릴

구성:

트리플 듀얼 드레인

키:

2.1 mm

길이:

7.1 mm

동작 주파수:

1 GHz

유형:

RF 전력 MOSFET

너비:

7.1 mm

상표:

NXP / 프리스케일

채널 모드:

상승

습기에 민감한:

네

Pd - 전력 손실:

4 W

상품 유형:

RF MOSFET 트랜지스터

공장 팩 수량:

1500

하위 카테고리:

MOSFET

Vgs - 게이트 소스 전압:

- 0.5 V, 15 V

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

4 V

Tags

MRF9002, MRF900, MRF90, MRF9, MRF