CSD87334Q3DT

제품 속성

속성 값

제조사:

텍사스 인스트루먼트

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

E

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

VSON-8

채널 수:

2 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

30 V

Id - 연속 드레인 전류:

20 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

8.3 mOhms, 8.3 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

750 mV

Vgs - 게이트 소스 전압:

8 V

Qg - 게이트 차지:

8.3 nC, 8.3 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

6 W

구성:

듀얼

채널 모드:

상승

상표명:

넥스펫

포장:

릴

키:

1 mm

길이:

3.3 mm

시리즈:

CSD87334Q3D

너비:

3.3 mm

상표:

텍사스 인스트루먼트

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

62 S

개발 키트:

VSON

가을 시간:

17 ns, 17 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

7 ns, 7 ns

공장 팩 수량:

250

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

11 ns, 11 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

4 ns, 4 ns

단위 무게:

0.002677 oz

Tags

CSD8733, CSD873, CSD87, CSD8, CSD