IRFH5220TR2PBF

제품 속성

속성 값

제조사:

인피니언

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

PQFN-8

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

200 V

Id - 연속 드레인 전류:

3.8 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

99.9 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

4 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

20 nC

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

3.6 W

구성:

하나의

포장:

릴

키:

0.83 mm

길이:

6 mm

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

너비:

5 mm

상표:

인피니언 / IR

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

16 S

가을 시간:

3.4 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

4.7 ns

공장 팩 수량:

400

하위 카테고리:

MOSFET

부품 번호 별칭:

SP001572556

Tags

IRFH52, IRFH5, IRFH, IRF