BS2100F-E2

제품 속성

속성 값

제조사:

로옴 반도체

제품 카테고리:

게이트 드라이버

RoHS:

Y

제품:

IGBT, MOSFET 게이트 드라이버

유형:

하이 사이드, 로우 사이드

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SOP-8

드라이버 수:

2 Driver

출력 수:

2 Output

출력 전류:

130 mA

상승 시간:

200 ns

가을 시간:

100 ns

공급 전압 - 최소:

10 V

공급 전압 - 최대:

18 V

작동 공급 전류:

120 uA

Pd - 전력 손실:

670 mW

최소 작동 온도:

- 40 C

최대 작동 온도:

+ 125 C

시리즈:

BS2100F

포장:

릴

출력 전압:

618 V, 18 V

기술:

시

상표:

로옴 반도체

최대 끄기 지연 시간:

330 ns

최대 켜기 지연 시간:

320 ns

상품 유형:

게이트 드라이버

공장 팩 수량:

2500

하위 카테고리:

PMIC - 전원 관리 IC

부품 번호 별칭:

BS2100F

단위 무게:

0.030018 oz

Tags

BS2100F, BS2100, BS210, BS21, BS2