PMBT5551,235

제품 속성

속성 값

제조사:

넥스페리아

제품 카테고리:

양극성 트랜지스터 - BJT

RoHS:

Y

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SOT-23-3

트랜지스터 극성:

NPN

구성:

하나의

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

160 V

컬렉터-베이스 전압 VCBO:

180 V

이미터-베이스 전압 VEBO:

6 V

최대 DC 수집기 전류:

0.3 A

이득 대역폭 곱 fT:

300 MHz

최소 작동 온도:

- 65 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

DC 전류 이득 hFE 최대:

80 at 1 mA, 5 V

키:

1 mm

길이:

3 mm

포장:

릴

너비:

1.4 mm

상표:

넥스페리아

DC 수집기/기본 이득 hfe 최소:

80 at 1 mA, 5 V, 80 at 10 mA, 5 V, 30 at 50 mA, 5 V

Pd - 전력 손실:

250 mW

상품 유형:

BJT - 양극성 트랜지스터

자격:

AEC-Q101

공장 팩 수량:

10000

하위 카테고리:

트랜지스터

부품 번호 별칭:

/T3 PMBT5551

단위 무게:

0.000282 oz

Tags

PMBT5551,2, PMBT5551, PMBT55, PMBT5, PMBT, PMB