D2008UK

제품 속성

속성 값

제조사:

티티전자

제품 카테고리:

RF MOSFET 트랜지스터

트랜지스터 극성:

N-채널

기술:

시

Id - 연속 드레인 전류:

2 A

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

65 V

얻다:

13 dB

출력 파워:

5 W

최대 작동 온도:

+ 150 C

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-39-3

구성:

하나의

키:

4.95 mm

길이:

9.4 mm

동작 주파수:

400 MHz

유형:

RF 전력 MOSFET

너비:

9.4 mm

상표:

Semelab / TT 전자

Pd - 전력 손실:

29 W

상품 유형:

RF MOSFET 트랜지스터

공장 팩 수량:

30

하위 카테고리:

MOSFET

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

1 V to 7 V

Tags

D2008, D200, D20