FQB19N20CTM

제품 속성

속성 값

제조사:

온세미컨덕터

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

E

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

TO-263-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

200 V

Id - 연속 드레인 전류:

19 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

170 mOhms

Vgs - 게이트 소스 전압:

30 V

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

3.13 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

릴

키:

4.83 mm

길이:

10.67 mm

시리즈:

FQB19N20C

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

유형:

QFET

너비:

9.65 mm

상표:

온세미컨덕터 / 페어차일드

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

10.8 S

가을 시간:

115 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

150 ns

공장 팩 수량:

800

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

135 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

15 ns

부품 번호 별칭:

FQB19N20CTM_NL

단위 무게:

0.046296 oz

Tags

FQB19N20C, FQB19N2, FQB19, FQB1, FQB