SQD40N10-25-T4_GE3

제품 속성

속성 값

제조사:

비쉐이

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-252-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

40 V

Id - 연속 드레인 전류:

50 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

5.6 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

2.5 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

55 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 175 C

Pd - 전력 손실:

71 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

자격:

AEC-Q101

상표:

비쉐이 / 실리콘닉스

상품 유형:

MOSFET

공장 팩 수량:

1

하위 카테고리:

MOSFET

Tags

SQD40N10-2, SQD40N1, SQD40N, SQD40, SQD4, SQD