DF23MR12W1M1B11BOMA1

제품 속성

속성 값

제조사:

인피니언

제품 카테고리:

이산 반도체 모듈

RoHS:

Y

제품:

전력 MOSFET 모듈

유형:

SiC 파워 MOSFET

Vf - 순방향 전압:

4 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

- 10 V, 20 V

장착 스타일:

프레스핏

패키지/케이스:

Easy1B-2

최소 작동 온도:

- 40 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

포장:

쟁반

구성:

듀얼

상표:

인피니언 테크놀로지스

트랜지스터 극성:

N-채널

가을 시간:

13 ns

Id - 연속 드레인 전류:

25 A

작동 공급 전압:

-

Pd - 전력 손실:

20 mW

상품 유형:

이산 반도체 모듈

Rds On - 드레인 소스 저항:

45 mOhms

상승 시간:

7.2 ns

공장 팩 수량:

24

하위 카테고리:

이산 반도체 모듈

상표명:

쿨식

일반적인 끄기 지연 시간:

38.5 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

11.5 ns

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

1200 V

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

3.5 V

부품 번호 별칭:

DF23MR12W1M1_B11 SP001602244

Tags

DF23, DF2