IMH10AT110

제품 속성

속성 값

제조사:

로옴 반도체

제품 카테고리:

양극성 트랜지스터 - 사전 바이어스

RoHS:

Y

구성:

듀얼

트랜지스터 극성:

NPN

일반적인 입력 저항:

2.2 kOhms

일반적인 저항 비율:

0.047

장착 스타일:

SMD/SMT

DC 수집기/기본 이득 hfe 최소:

80

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

50 V

지속적인 수집가 전류:

100 mA

피크 DC 수집기 전류:

100 mA

Pd - 전력 손실:

150 mW

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

시리즈:

IMH10

포장:

릴

DC 전류 이득 hFE 최대:

80

키:

1.1 mm

길이:

2.9 mm

너비:

1.6 mm

상표:

로옴 반도체

상품 유형:

BJT - 양극성 트랜지스터 - 사전 바이어스

공장 팩 수량:

3000

하위 카테고리:

트랜지스터

Tags

IMH10AT, IMH10A, IMH10, IMH1, IMH