DMN61D8LVTQ-13

제품 속성

속성 값

제조사:

다이오드 주식회사

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

TSOT-26-6

채널 수:

2 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

60 V

Id - 연속 드레인 전류:

630 mA

Rds On - 드레인 소스 저항:

1.1 Ohms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

1.3 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

12 V

Qg - 게이트 차지:

740 pC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

1.09 W

구성:

듀얼

채널 모드:

상승

자격:

AEC-Q101

포장:

릴

키:

1 mm

길이:

2.9 mm

시리즈:

DMN61

트랜지스터 유형:

2 N-Channel

너비:

1.6 mm

상표:

다이오드 주식회사

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

80 mS

가을 시간:

440 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

301 ns

공장 팩 수량:

10000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

582 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

131 ns

Tags

DMN61D8LV, DMN61D8, DMN61D, DMN61, DMN6, DMN