IXTA1R4N100P

제품 속성

속성 값

제조사:

익시스

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

TO-263-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

1 kV

Id - 연속 드레인 전류:

1.4 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

11 Ohms

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

63 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

튜브

키:

4.83 mm

길이:

10.41 mm

시리즈:

IXTA1R4N100

트랜지스터 유형:

1 N-Channel

너비:

9.65 mm

상표:

익시스

가을 시간:

28 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

35 ns

공장 팩 수량:

50

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

65 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

25 ns

단위 무게:

0.081130 oz

Tags

IXTA1R4N10, IXTA1R4, IXTA1R, IXTA1, IXTA, IXT