2SD2607FU6

제품 속성

속성 값

제조사:

로옴 반도체

제품 카테고리:

양극성 트랜지스터 - BJT

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-220FP-3

트랜지스터 극성:

NPN

구성:

하나의

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

100 V

컬렉터-베이스 전압 VCBO:

100 V

이미터-베이스 전압 VEBO:

7 V

수집기-이미터 포화 전압:

1.5 V

최대 DC 수집기 전류:

8 A

이득 대역폭 곱 fT:

40 MHz

최소 작동 온도:

-

최대 작동 온도:

+ 150 C

포장:

대부분

상표:

로옴 반도체

지속적인 수집가 전류:

8 A

Pd - 전력 손실:

30 W

상품 유형:

BJT - 양극성 트랜지스터

공장 팩 수량:

500

하위 카테고리:

트랜지스터

단위 무게:

0.068784 oz

Tags

2SD260, 2SD26, 2SD2, 2SD