C3M0120090D

제품 속성

속성 값

제조사:

주식회사 크리

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

SiC

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-247-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

900 V

Id - 연속 드레인 전류:

23 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

120 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

2.1 V

Qg - 게이트 차지:

17.3 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

97 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

튜브

키:

21.1 m

길이:

16.13 mm

제품:

파워 MOSFET

유형:

실리콘 카바이드 MOSFET

너비:

5.21 mm

상표:

울프스피드 / 크리어

가을 시간:

8 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

10 ns

공장 팩 수량:

30

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

25 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

27 ns

단위 무게:

1.340411 oz

Tags

C3M01200, C3M01, C3M0, C3M