SIHU5N50D-GE3

제품 속성

속성 값

제조사:

비쉐이

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-251-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

500 V

Id - 연속 드레인 전류:

5.3 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

1.5 Ohms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

5 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

30 V

Qg - 게이트 차지:

10 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

104 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

튜브

키:

6.22 mm

길이:

6.73 mm

시리즈:

D

너비:

2.39 mm

상표:

비쉐이 / 실리콘닉스

가을 시간:

11 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

11 ns

공장 팩 수량:

75

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

14 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

12 ns

부품 번호 별칭:

SIHU5N50D-E3

단위 무게:

0.011640 oz

Tags

SIHU5, SIHU, SIH