TSC5304EDCP ROG

제품 속성

속성 값

제조사:

대만 반도체

제품 카테고리:

양극성 트랜지스터 - BJT

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

TO-252-3

트랜지스터 극성:

NPN

구성:

하나의

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

400 V

컬렉터-베이스 전압 VCBO:

700 V

이미터-베이스 전압 VEBO:

9 V

수집기-이미터 포화 전압:

0.5 V

최대 DC 수집기 전류:

8 A

최대 작동 온도:

+ 150 C

DC 전류 이득 hFE 최대:

37

포장:

릴

상표:

대만 반도체

지속적인 수집가 전류:

4 A

DC 수집기/기본 이득 hfe 최소:

10

Pd - 전력 손실:

35 W

상품 유형:

BJT - 양극성 트랜지스터

공장 팩 수량:

2500

하위 카테고리:

트랜지스터

단위 무게:

0.011993 oz

Tags

TSC5304EDCP, TSC5304E, TSC5304, TSC53, TSC5, TSC