SI5504BDC-T1-GE3

제품 속성

속성 값

제조사:

비쉐이

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

ChipFET-8

채널 수:

2 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널, P-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

30 V

Id - 연속 드레인 전류:

4 A, 3.7 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

65 mOhms, 140 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

1.5 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

20 V

Qg - 게이트 차지:

7 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

3.12 W, 3.1 W

구성:

듀얼

채널 모드:

상승

상표명:

TrenchFET

포장:

릴

키:

1.1 mm

길이:

3.05 mm

시리즈:

SI54

트랜지스터 유형:

1 N-Channel, 1 P-Channel

너비:

1.65 mm

상표:

비쉐이 / 실리콘닉스

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

5 S, 3.5 S

가을 시간:

25 ns, 10 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

80 ns, 60 ns

공장 팩 수량:

3000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

12 ns, 10 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

15 ns, 30 ns

단위 무게:

0.002998 oz

Tags

SI5504BDC-T, SI5504B, SI5504, SI550, SI55, SI5