CMRDM3575 TR

제품 속성

속성 값

제조사:

중앙반도체

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SOT-963

채널 수:

2 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널, P-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

20 V

Id - 연속 드레인 전류:

160 mA, 140 mA

Rds On - 드레인 소스 저항:

1.5 Ohms, 4 Ohms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

400 mV, 1 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

8 V

Qg - 게이트 차지:

458 pC, 500 pC

최소 작동 온도:

- 65 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

125 mW

구성:

듀얼

채널 모드:

상승

상표명:

아토미니

포장:

릴

시리즈:

CMRDM

트랜지스터 유형:

1 N-Channel, 1 P-Channel

상표:

중앙반도체

순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:

1.3 S, 140 mS

상품 유형:

MOSFET

공장 팩 수량:

8000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

85 ns, 100 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

25 ns, 35 ns

부품 번호 별칭:

CMRDM3575 PBFREE TR

Tags

CMRDM3, CMRDM, CMRD, CMR