SI7788DP-T1-GE3

Mfr. #:: SI7788DP-T1-GE3
제조사:: Vishay
설명:: RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10V
수명 주기:: 이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:: SI7788DP-T1-GE3 데이터 시트
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제품 속성
속성 값

제조사: 비쉐이

제품 카테고리: FET - 단일

포장: 릴

부분 별칭: SI7788DP-GE3

단위 무게: 0.017870 oz

장착 스타일: SMD/SMT

패키지 케이스: SO-8

기술: 시

채널 수: 1 Channel

구성: 싱글 쿼드 드레인 트리플 소스

트랜지스터형: 1 N-Channel

Pd 전력 손실: 5.2 W

최대 작동 온도: + 150 C

최소 작동 온도: - 55 C

가을철: 18 ns

상승 시간: 21 ns

Vgs 게이트 소스 전압: 20 V

Id-연속-드레인-전류: 29.5 A

Vds-드레인-소스-고장-전압: 30 V

Rds-On-Drain-Source-Resistance: 3.1 mOhms

트랜지스터 극성: N-채널

일반 꺼짐 지연 시간: 45 ns

일반 켜기 지연 시간: 44 ns

채널 모드: 상승

Tags: SI7788, SI778, SI77, SI7

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SI7788DP-T1-GE3 설명

***ment14 APAC: N CHANNEL MOSFET, 30V, 50A, SOIC, FULL R

***et: Trans MOSFET N-CH 30V 29.5A 8-Pin PowerPAK SO T/R

***ark: Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:50000mA; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):0.0041ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation, Pd:5.2W ;RoHS Compliant: Yes

Market price

부분 #	제조	설명	재고	가격
SI7788DP-T1-GE3 DISTI # SI7788DP-T1-GE3CT-ND	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Cut Tape (CT)	Limited Supply - Call
SI7788DP-T1-GE3 DISTI # SI7788DP-T1-GE3DKR-ND	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Digi-Reel®	Limited Supply - Call
SI7788DP-T1-GE3 DISTI # SI7788DP-T1-GE3TR-ND	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 RoHS: Compliant Min Qty: 3000 Container: Tape & Reel (TR)	Temporarily Out of Stock	3000:$1.3811
SI7788DP-T1-GE3 DISTI # SI7788DP-T1-GE3	Vishay Intertechnologies	Trans MOSFET N-CH 30V 29.5A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Tape and Reel (Alt: SI7788DP-T1-GE3) RoHS: Compliant Min Qty: 3000 Container: Reel	Americas - 0	3000:$1.2900 6000:$1.2900 12000:$1.1900 18000:$1.1900 30000:$1.0900
SI7788DP-T1-GE3 DISTI # 781-SI7788DP-T1-GE3	Vishay Intertechnologies	MOSFET 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10V RoHS: Compliant	4298	1:$2.8900 10:$2.4000 100:$1.8600 500:$1.6300 1000:$1.5600 3000:$1.5500
SI7788DP-T1-GE3	Vishay Intertechnologies	MOSFET 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10V	Americas -
SI7788DP-T1-GE3 DISTI # 2478982	Vishay Intertechnologies	N CHANNEL MOSFET, 30V, 50A, SOIC, FULL R RoHS: Compliant	0	3000:£1.2300 6000:£1.2000
SI7788DP-T1-GE3 DISTI # 2478982	Vishay Intertechnologies	N CHANNEL MOSFET, 30V, 50A, SOIC, FULL REEL RoHS: Compliant	0	3000:$5.1000 6000:$3.9100 12000:$3.1400

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영상	부분 #	설명
	Mfr.#: SI7788DP-T1-GE3 OMO.#: OMO-SI7788DP-T1-GE3	MOSFET 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10V
	Mfr.#: SI7788DP-T1-GE3 OMO.#: OMO-SI7788DP-T1-GE3-VISHAY	RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10V
	Mfr.#: SI7788DP OMO.#: OMO-SI7788DP-1190	신규 및 오리지널
	Mfr.#: SI7788DP-T1-E3 OMO.#: OMO-SI7788DP-T1-E3-1190	신규 및 오리지널

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500: ~~US$1.39~~; ~~US$694.90~~

1000: ~~US$1.31~~; ~~US$1 308.00~~

2021년부터 반도체 공급 부족으로 인해 아래 가격은 2021년 이전 정상 가격입니다. 확인을 위해 문의를 보내주세요.

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SI77 66
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