OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
안녕하세요, 로그인내 계정
0 카트

RN1114MFV(TPL3)

RN1114MFV(TPL3)
Mfr. #:
RN1114MFV(TPL3)
제조사:
Toshiba
설명:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 50volts 100mA 3Pin 1.0Kohms x 10Kohms
수명 주기:
이 제조업체의 새 제품입니다.
데이터 시트:
RN1114MFV(TPL3) 데이터 시트
배달:
DHL FedEx Ups TNT EMS
지불:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
제품 속성
속성 값
제조사:
도시바
제품 카테고리:
양극성 트랜지스터 - 사전 바이어스
RoHS:
N
트랜지스터 극성:
NPN
일반적인 입력 저항:
1 kOhms
일반적인 저항 비율:
0.1
장착 스타일:
SMD/SMT
DC 수집기/기본 이득 hfe 최소:
50
컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:
50 V
지속적인 수집가 전류:
100 mA
Pd - 전력 손실:
150 mW
최소 작동 온도:
- 65 C
최대 작동 온도:
+ 150 C
시리즈:
RN1114MFV
포장:
릴
컬렉터-베이스 전압 VCBO:
50 V
이미터-베이스 전압 VEBO:
5 V
키:
1.2 mm
길이:
1.2 mm
작동 온도 범위:
- 65 C to + 150 C
유형:
NPN 에피택셜 실리콘 트랜지스터
너비:
0.5 mm
상표:
도시바
상품 유형:
BJT - 양극성 트랜지스터 - 사전 바이어스
공장 팩 수량:
8000
하위 카테고리:
트랜지스터
Tags
RN1114M, RN1114, RN111, RN11, RN1
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VESM T/R
***i-Key
TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
***
50V 100MA 3P 1.KOHMS X110KOHM
***et
X34 Pb-F VESM TRANSISTOR Pd 150mW F 1Mhz (LF)
***i-Key
TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
***
2.2KOHMS X 10KOHMS
***ca Corp
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
***ical
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
***nell
DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A; Digital Transistor Polarity: Single NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Continuous Collector Current Ic: 100mA; Base Input Resistor R1: 4.7kohm; Base-Emitter Resistor R2: 47kohm; Resistor Ratio, R1 / R2: 0.1(Ratio); RF Transistor Case: SOT-723; No. of Pins: 3 Pin; Product Range: DTC043Z Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
*** Stop Electro
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
***ical
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VMT T/R
***nell
DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A; Digital Transistor Polarity: Single NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Continuous Collector Current Ic: 100mA; Base Input Resistor R1: 4.7kohm; Base-Emitter Resistor R2: 10kohm; Resis
***ure Electronics
DTC143E Series 50 V 100 mA Surface Mount NPN Digital Transistor - VMT-3
***ark
Trans Digital Bjt Npn 100Ma 3-Pin Vmt T/r Rohs Compliant: Yes
***nell
TRANSISTOR,NPN,50V,0.1A,VMT3; Digital Transistor Polarity: Single NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Continuous Collector Current Ic: 100mA; Base Input Resistor R1: 4.7kohm; Base-Emitter Resistor R2: 4.7kohm; Resis
***et
X34 Pb-F VESM TRANSISTOR Pd 150mW F 1Mhz (LF)
***i-Key
TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
***
50V 100MA 3P 10K X 4.7K0HMS
***ark
TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 50V, 100mA, SOT-723; Transistor Polarity:NPN; Collecto
***(Formerly Allied Electronics)
Transistor PNP 50V 2.2K 2.2K SSSMini3-F2 | Panasonic Electronic Components DRC3123E0L
***er Electronics
SC,TRANSISTOR WITH BUILT-IN RESISTORS / NPN SINGLE, FOR DIGITAL CIRCUITS, VCEO:50V, IC:100MA
부분 # 제조 설명 재고 가격
RN1114MFV(TPL3)
DISTI # 757-RN1114MFV(TPL3)		Toshiba America Electronic ComponentsBipolar Transistors - Pre-Biased 50volts 100mA 3Pin 1.0Kohms x 10Kohms
RoHS: Not compliant		0
    RN1114MFV(TPL3)
    DISTI # 580115    		Toshiba America Electronic ComponentsTR.+VIASRES. NPN VCEO=50V IC=100MA VESM, PK150
    • 50:£0.0820
    • 200:£0.0270
    • 500:£0.0270
    • 1000:£0.0260
    • 2000:£0.0250
    영상 부분 # 설명
    RN1114MFV,L3F

    Mfr.#: RN1114MFV,L3F

    OMO.#: OMO-RN1114MFV-L3F

    		 Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in Transistor
    RN1114MFV(TPL3)

    Mfr.#: RN1114MFV(TPL3)

    OMO.#: OMO-RN1114MFV-TPL3-

    		 Bipolar Transistors - Pre-Biased 50volts 100mA 3Pin 1.0Kohms x 10Kohms
    RN1114MFV(TPL3)

    Mfr.#: RN1114MFV(TPL3)

    OMO.#: OMO-RN1114MFV-TPL3--123

    		 Bipolar Transistors - Pre-Biased 50volts 100mA 3Pin 1.0Kohms x 10Kohms
    RN1114MFVL3F-ND

    Mfr.#: RN1114MFVL3F-ND

    OMO.#: OMO-RN1114MFVL3F-ND-1190

    		 신규 및 오리지널
    RN1114MFV

    Mfr.#: RN1114MFV

    OMO.#: OMO-RN1114MFV-1190

    		 신규 및 오리지널
    RN1114MFV,L3F

    Mfr.#: RN1114MFV,L3F

    OMO.#: OMO-RN1114MFV-L3F-TOSHIBA-SEMICONDUCTOR-AND-STOR

    		 X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
    유효성
    재고:
    Available
    주문 시:
    1500
    수량 입력:
    RN1114MFV(TPL3)의 현재 가격은 참고용이며 최상의 가격을 원하시면 판매팀 [email protected]으로 문의 또는 다이렉트 이메일을 보내주십시오.
    참고 가격(USD)
    수량
    단가
    내선 가격
    1
    US$0.30
    US$0.30
    10
    US$0.20
    US$1.95
    100
    US$0.08
    US$8.20
    1000
    US$0.06
    US$56.00
    2500
    US$0.04
    US$105.00
    2021년부터 반도체 공급 부족으로 인해 아래 가격은 2021년 이전 정상 가격입니다. 확인을 위해 문의를 보내주세요.
    시작
    Top