NST856BF3T5G

제품 속성

속성 값

제조사:

온세미컨덕터

제품 카테고리:

양극성 트랜지스터 - BJT

RoHS:

Y

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

SOT-1123-3

트랜지스터 극성:

PNP

구성:

하나의

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

65 V

컬렉터-베이스 전압 VCBO:

80 V

이미터-베이스 전압 VEBO:

5 V

최대 DC 수집기 전류:

0.1 A

이득 대역폭 곱 fT:

100 MHz

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

시리즈:

NST856BF3T5G

DC 전류 이득 hFE 최대:

220 at 2 mA, 5 V

키:

0.37 mm

길이:

0.6 mm

포장:

릴

너비:

0.8 mm

상표:

온세미컨덕터

DC 수집기/기본 이득 hfe 최소:

220 at 2 mA, 5 V

Pd - 전력 손실:

347 mW

상품 유형:

BJT - 양극성 트랜지스터

공장 팩 수량:

8000

하위 카테고리:

트랜지스터

Tags

NST85, NST8, NST