STB45N60DM2AG

제품 속성

속성 값

제조사:

ST마이크로일렉트로닉스

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

시

장착 스타일:

SMD/SMT

패키지/케이스:

D2PAK-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

600 V

Id - 연속 드레인 전류:

34 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

93 mOhms

Vgs th - 게이트 소스 임계 전압:

3 V

Vgs - 게이트 소스 전압:

10 V

Qg - 게이트 차지:

56 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

Pd - 전력 손실:

250 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

자격:

AEC-Q101

상표명:

MD메쉬

포장:

릴

키:

4.6 mm

길이:

10.4 mm

제품:

파워 MOSFET

시리즈:

STB45N60DM2AG

트랜지스터 유형:

1 N-Channel Power MOSFET

유형:

높은 전압

너비:

9.35 mm

상표:

ST마이크로일렉트로닉스

가을 시간:

6 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

27 ns

공장 팩 수량:

1000

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

85 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

29 ns

단위 무게:

0.139332 oz

Tags

STB45N6, STB45N, STB45, STB4, STB