MPS6601G

제품 속성

속성 값

제조사:

온세미컨덕터

제품 카테고리:

양극성 트랜지스터 - BJT

RoHS:

Y

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-92-3

트랜지스터 극성:

NPN

구성:

하나의

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

25 V

컬렉터-베이스 전압 VCBO:

25 V

이미터-베이스 전압 VEBO:

4 V

수집기-이미터 포화 전압:

0.6 V

최대 DC 수집기 전류:

1 A

이득 대역폭 곱 fT:

100 MHz

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

키:

5.33 mm (Max)

길이:

5.2 mm (Max)

포장:

대부분

너비:

4.19 mm (Max)

상표:

온세미컨덕터

지속적인 수집가 전류:

0.5 A

DC 수집기/기본 이득 hfe 최소:

50

Pd - 전력 손실:

1 W

상품 유형:

BJT - 양극성 트랜지스터

공장 팩 수량:

5000

하위 카테고리:

트랜지스터

Tags

MPS6601, MPS660, MPS66, MPS6, MPS