IXDR35N60BD1

제품 속성

속성 값

제조사:

익시스

제품 카테고리:

IGBT 트랜지스터

RoHS:

Y

기술:

시

패키지/케이스:

ISOPLUS-247-3

장착 스타일:

구멍을 통해

구성:

하나의

컬렉터-이미터 전압 VCEO 최대:

600 V

수집기-이미터 포화 전압:

2.2 V

최대 게이트 이미터 전압:

20 V

25C에서 연속 수집기 전류:

38 A

Pd - 전력 손실:

125 W

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 150 C

시리즈:

IXDR35N60B

포장:

튜브

연속 수집가 현재 IC 최대:

48 A

키:

21.34 mm

길이:

16.13 mm

작동 온도 범위:

- 55 C to + 150 C

너비:

5.21 mm

상표:

익시스

지속적인 수집가 전류:

38 A

게이트-이미터 누설 전류:

500 nA

상품 유형:

IGBT 트랜지스터

공장 팩 수량:

30

하위 카테고리:

IGBT

단위 무게:

0.186952 oz

Tags

IXDR3, IXDR, IXD