GA05JT03-46

제품 속성

속성 값

제조사:

GeneSiC 반도체

제품 카테고리:

MOSFET

RoHS:

Y

기술:

SiC

장착 스타일:

구멍을 통해

패키지/케이스:

TO-46-3

채널 수:

1 Channel

트랜지스터 극성:

N-채널

Vds - 드레인 소스 항복 전압:

300 V

Id - 연속 드레인 전류:

9 A

Rds On - 드레인 소스 저항:

620 mOhms

Vgs - 게이트 소스 전압:

30 V

Qg - 게이트 차지:

14.6 nC

최소 작동 온도:

- 55 C

최대 작동 온도:

+ 225 C

Pd - 전력 손실:

20 W

구성:

하나의

채널 모드:

상승

포장:

대부분

상표:

GeneSiC 반도체

가을 시간:

12.4 ns

상품 유형:

MOSFET

상승 시간:

6.6 ns

공장 팩 수량:

50

하위 카테고리:

MOSFET

일반적인 끄기 지연 시간:

12 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

13 ns

Tags

GA05J, GA05, GA0